以下部分引用 AI 总结,现阶段 AI 仍然有幻觉。请以内容的原文为准。
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LSTC
11 atoms · 跨 4 天 · 首见 2026-04-16 · 最近 2026-07-03
三色: 🟦 fact 10 · 🟥 take 1 · stance ▲1/▼0/◆1
来源: X 11
时态: fresh:11
标签: 好信源:8 · 好数字:4 · 好观点:1 · 好思考:1
叙事 (narrative) (1)
- 2026-06-01 · BEOL 开发进展
日本国内だけでは難しい最先端BEOL開発も、国際連携ならここまでできる。
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预测 (forecast) (1)
- 2026-04-16 · 计划建设光电融合型芯片试产线
ラピダス版「光電融合型チップレット」 LSTC、千歳市に試作ライン
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value: qty=1条 · date=未来
事实 (fact) (9)
- 2026-07-03 · ゲート絶縁膜界面層厚
先端ロジック半導体を高速化する技術として、まず、ゲート絶縁膜中のシリコン酸化膜(SiO2)の界面層を1原子層に匹敵する約0.2nmに薄くした。
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value: qty=約0.2nm
- 2026-07-03 · 半導体ゲート絶縁膜容量換算膜厚
従来のウェットプロセスに替わり、新たにドライプロセスを適用。減圧状態の酸素中の熱処理において、プロセス温度に対する酸素分圧を精密に制御し、安定に成膜したことで容量換算膜厚を0.9nmに圧縮した。
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value: qty=0.9nm
- 2026-06-09 · 0.2nm厚度控制能力
0.2nm厚み≒原子1個分をコントロール出来ている
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- 2026-07-03 · ゲート絶縁膜技術開発
【ビヨンド2ナノ 高速動作、LSTCが半導体ゲート絶縁膜を薄層化 「一つの答えを提示できた」】産業技術総合研究所や東京大学などを組合員に持つ技術研究組合最先端半導体技術センター(LSTC)は、2nm世代以降の先端ロジック半導体の性能を向上するゲート絶縁膜の技術を開発した。
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- 2026-06-09 · プロジェクトの委託元
NEDO(新エネルギー・産業技術総合開発機構)委託事業である「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業」における「Beyond 2nm世代向け半導体技術開発」(JPNP20017、委託先:LSTC)の委託事業の結果として得られたもの
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value: qty=NEDO委託事業「Beyond 2nm世代向け半導体技術開発」(JPNP20017)
- 2026-06-09 · GAA晶体管栅极绝缘膜新技术开发
東京科学大学•LSTC GAAトランジスタ向けゲート絶縁膜の新技術を開発
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- 2026-06-09 · 二氧化硅界面层薄膜化技术指标
ゲート絶縁膜に含まれるシリコン酸化膜界面層を一原子層に匹敵する0.2 nmまで薄層化に成功
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value: qty=0.2 nm
- 2026-06-09 · gate insulation film 新技术开发
【先端ロジック半導体のゲート絶縁膜の新技術を開発】 出典:LSTC
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- 2026-06-01 · imec 国际联合成果
LSTC-imec国際連携による初の本格成果を発表します!
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时间轴 (近 20)
- 2026-07-03 ·
fact · ゲート絶縁膜技術開発 · → daily
- 2026-07-03 ·
fact · ゲート絶縁膜界面層厚 · → daily
- 2026-07-03 ·
fact · 半導体ゲート絶縁膜容量換算膜厚 · → daily
- 2026-06-09 ·
fact · プロジェクトの委託元 · → daily
- 2026-06-09 ·
fact · GAA晶体管栅极绝缘膜新技术开发 · → daily
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fact · 二氧化硅界面层薄膜化技术指标 · → daily
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fact · 0.2nm厚度控制能力 · → daily
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fact · imec 国际联合成果 · → daily
- 2026-06-01 ·
narrative · BEOL 开发进展 · → daily
- 2026-04-16 ·
forecast · 计划建设光电融合型芯片试产线 · → daily
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